Na skladě: 254
Jsme skladují distributora IDH10G65C5XKSA1 s velmi konkurenceschopnou cenou.Podívejte se na nejnovější Pirce, zásoby a dodací lhůtu IDH10G65C5XKSA1 a pomocí formuláře Quick RFQ.Náš závazek k kvalitě a pravosti IDH10G65C5XKSA1 je neochvějný a my jsme zavedli přísné procesy kontroly a doručování kvality, abychom zajistili integritu IDH10G65C5XKSA1.Zde najdete také datový list IDH10G65C5XKSA1.
Standardní komponenty integrovaného obvodu balení IDH10G65C5XKSA1
Napětí - Peak Reverse (Max) | Silicon Carbide Schottky |
---|---|
Napětí - Forward (VF) (Max) @-li | 10A (DC) |
Napětí - Rozdělení | PG-TO220-2 |
Série | thinQ!™ |
Stav RoHS | Bulk |
Reverse Time Recovery (TRR) | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Odpor při IF, F | 300pF @ 1V, 1MHz |
Polarizace | TO-220-2 |
Ostatní jména | IDH10G65C5 IDH10G65C5-ND SP000925208 |
Provozní teplota - spojení | 0ns |
Typ montáže | Through Hole |
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL) | 1 (Unlimited) |
Výrobní číslo výrobce | IDH10G65C5XKSA1 |
Rozšířený popis | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole PG-TO220-2 |
Konfigurace dioda | 340µA @ 650V |
Popis | DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2 |
Proud - zpìtný únikový @ Vr | 1.7V @ 10A |
Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode) | 650V |
Kapacitní @ Vr, F | -55°C ~ 175°C |